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AO3416A

更新时间： 2024-11-19 17:15:55

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	2790K
描述
漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:6A;栅极-源极阈值电压:1.1V @ 250uA;漏源导通电阻:mΩ@10V;最大功耗（Ta = 25°C）:1.4W;种类:N-Channel;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:25mΩ@4.5V

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AO3416A 数据手册

UMW

UMW AO3416A

N-Channel MOSFET

■ Features

SOT–23

● VDS (V) = 20V

● ID = 6 A (VGS = 4.5V)

● RDS(ON) ＜ 25mΩ (VGS = 4.5V)

● RDS(ON) ＜ 33mΩ (VGS = 2.5V)

● RDS(ON) ＜ 51mΩ (VGS = 1.8V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

VDS

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

VGS

±8

Ta=25℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

Ta=70℃

IDM

1.4

Ta=25℃

Ta=70℃

0.9

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t≤10sec

Steady State

thJA

℃/W

℃

125

Thermal Resistance.Junction-to-Foot

Junction Temperature

RthJF

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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