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AO3419

更新时间: 2024-11-21 12:24:23
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美国万代 - AOS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 317K
描述
20V P-Channel MOSFET

AO3419 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:1.7Is Samacsys:N
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:20 V
最大漏源导通电阻:0.075 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

AO3419 数据手册

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AO3419  
20V P-Channel MOSFET  
General Description  
Product Summary  
VDS  
-20V  
The AO3419 uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate  
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as  
a load switch applications.  
ID (at VGS=-10V)  
RDS(ON) (at VGS= -10V)  
RDS(ON) (at VGS= -4.5V)  
RDS(ON) (at VGS= -2.5V)  
-3.5A  
< 85m  
< 102mΩ  
< 140mΩ  
Typical ESD protection  
HBM Class 2  
SOT23  
Top View  
Bottom View  
D
D
D
G
G
S
S
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
VDS  
-20  
V
Gate-Source Voltage  
VGS  
±12  
-3.5  
V
A
TA=25°C  
TA=70°C  
Continuous Drain  
Current  
ID  
-2.8  
Pulsed Drain Current C  
IDM  
PD  
-17  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.4  
W
°C  
Power Dissipation B  
0.9  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 150  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
65  
Max  
90  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient A  
Maximum Junction-to-Ambient A D  
Maximum Junction-to-Lead  
t
10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
85  
125  
60  
RθJL  
43  
Rev 5: Nov 2011  
www.aosmd.com  
Page 1 of 5  

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