是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Not Recommended |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 7.91 | Is Samacsys: | N |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 4 A | 最大漏极电流 (ID): | 4 A |
最大漏源导通电阻: | 0.054 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最大反馈电容 (Crss): | 110 pF | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.4 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDN340P | FAIRCHILD |
功能相似 |
Single P-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET | |
FDN306P | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET | |
FDN304PZ | FAIRCHILD |
功能相似 |
P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AO3415_11 | AOS |
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20V P-Channel MOSFET | |
AO3415A | AOS |
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20V P-Channel MOSFET | |
AO3415A | UMW |
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漏源电压(Vdss):-20V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):-4A;栅极-源极阈 | |
AO3415A (KO3415A) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET | |
AO3415A_11 | AOS |
获取价格 |
20V P-Channel MOSFET | |
AO3415AL | AOS |
获取价格 |
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
AO3415L | AOS |
获取价格 |
Transistor | |
AO3416 | AOS |
获取价格 |
20V N-Channel MOSFET | |
AO3416 | HC |
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SOT-23 | |
AO3416 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 |