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AO3413A

更新时间： 2024-09-24 17:15:23

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友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
6页	501K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-3A;Vgs(th)(V):±8;漏源导通电阻:66mΩ@-4.5V

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AO3413A 数据手册

UMW

UMW AO3413A

20V P-Channel MOSFET

Features

V_DS

= -20V

= -3A

SOT–23

I_D

(V = -4.5V)

(V_GS= -4.5V)

_D= -3A

-15

(V =- 4.5V)

R_DS(ON)

< 80mΩ

_DS(ON)< 66mΩ

(V_G_G_S_S=- 4.5V)

(V = -2.5V)

R_DS(ON)

< 100mΩ

_DS(ON)< 80mΩ

_GS= -2.5V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Maximum

Units

Symbol

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-20

±8

T_A=25°C

T_A=70°C

-3

Continuous Drain

Current ^A

I_D

-2.4

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

P_D

-15

T_A=25°C

T_A=70°C

1.4

°C

Power Dissipation ^A

0.9

Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55 to 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Steady-State

100

125

R_θJL

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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