AO3414

更新时间： 2024-01-19 07:28:06

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美国万代 - AOS		晶体晶体管
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4页	111K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO3414 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.65
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.2 A	最大漏源导通电阻：	0.05 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO3414 数据手册

AO3414

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO3414 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), low gate charge and

operation with gate voltages as low as 1.8V. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications. Standard Product AO3414 is Pb-free

(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3414L

is a Green Product ordering option. AO3414 and

AO3414L are electrically identical.

V_DS(V) = 20V

I_D= 4.2 A (V_GS= 4.5V)

R_DS(ON)< 50mΩ (V_GS= 4.5V)

R_DS(ON)< 63mΩ (V_GS= 2.5V)

R_DS(ON)< 87mΩ (V_GS= 1.8V)

TO-236

(SOT-23)

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±8

4.2

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

3.2

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

1.4

P_D

Power Dissipation ^A

0.9

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

100

125

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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