是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 1.65 |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 4.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-236 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 30 A |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
PMV56XN,215 | NXP |
功能相似 |
PMV56XN - N-channel TrenchMOS extremely low level FET TO-236 3-Pin |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
AO3414 (KO3414) | KEXIN |
获取价格 |
N-Channel MOSFET | |
AO3414_10 | AOS |
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20V N-Channel MOSFET | |
AO3414A | UMW |
获取价格 |
漏源电压(Vdss):20V;持续漏极电流(Id)(在25°C时):4.2A;栅极-源极阈 | |
AO3414L | AOS |
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N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
AO3415 | AOS |
获取价格 |
20V P-Channel MOSFET | |
AO3415 | FREESCALE |
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P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Fast switching speed | |
AO3415 | HC |
获取价格 |
SOT-23 | |
AO3415 | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET | |
AO3415 | HOTTECH |
获取价格 |
SOT-23 | |
AO3415_11 | AOS |
获取价格 |
20V P-Channel MOSFET |