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AO3414A

更新时间： 2024-09-24 17:15:47

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友台半导体 - UMW		栅栅极
页数	文件大小	规格书
5页	2257K
描述
漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:4.2A;栅极-源极阈值电压:1.2V @ 50uA;漏源导通电阻:26mΩ@4.5V;最大功耗（Ta = 25°C）:400mW;种类:N-Channel;漏源导通电阻:mΩ@10V;Vgs(th)(V):±8

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AO3414A 数据手册

UMW

UMW AO3414A

N-Channel Enhancement MOSFET

Features

VDS (V) = 20V

SOT–23

ID = 4.2A (VGS=4.5V)

RDS(ON)

26m (VGS = 4.5V)

36m (VGS = 2.5V)

57m (VGS = 1.8V)

1. GATE

2. SOURCE

3. DRAIN

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

VDS

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

VGS

4.2

Continuous Drain TA=25

3.2

Current *1

TA=70

Pulsed Drain Current *2

IDM

1.4

Power Dissipation *1 TA=25

TA=70

0.9

Themal Resistance.Junction-to-Ambient *1

Themal Resistance.Junction-to-Case

Junction and Storage Temperature Range

RthJA

RthJC

125

TJ, TSTG

-55 to 150

*1The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in ²FR-4 board with 2oz.

Copper, in a still air environment with TA =25

www.umw-ic.com

友台半导体有限公司

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