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FDN342P

更新时间： 2024-01-22 13:00:37
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 308K
描述
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench⑩ MOSFET

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FDN342P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SSOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：3.31
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.08 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.46 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FDN342P 数据手册

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August 1999  
FDN342P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrenchTM MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in  
a rugged gate version of Fairchild Semiconductor's  
advanced PowerTrench process. It has been optimized  
for power management applications for a wide range  
of gate drive voltages (2.5V - 12V).  
• -2 A, -20 V. RDS(ON) = 0.08 Ω @ VGS = -4.5 V  
RDS(ON) = 0.13 Ω @ VGS = -2.5 V.  
• Rugged gate rating (±12V).  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
Applications  
• Load switch  
• Enhanced power SuperSOTTM-3 (SOT-23).  
• Battery protection  
• Power management  
D
D
S
SuperSOTTM-3  
G
S
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
-20  
V
V
A
±12  
-2  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
-10  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
W
0.46  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Outlines and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
FDN342P  
FDN342P  
7’’  
8mm  
3000 units  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDN342P Rev. B  
12345678

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FDN342P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AO3407A AOS

功能相似

 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
NTR1P02LT3G ONSEMI

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NTR1P02LT1G ONSEMI

功能相似

 Power MOSFET

与FDN342P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN342PD87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN352AP FAIRCHILD

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 		Single P-Channel, PowerTrench
FDN352AP ONSEMI

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 		单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ
FDN352AP TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT™-3
FDN352AP UMW

获取价格

 		种类:P-Channel;漏源导通电阻:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-
FDN352AP_0508 FAIRCHILD

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 		Single P-Channel, PowerTrench MOSFET
FDN352AP_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN357N FAIRCHILD

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 		N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN357N TYSEMI

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 		SuperSOT-3
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 		N 沟道，逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.9A，90mΩ

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