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FDN358P

更新时间： 2024-02-07 01:17:02

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	274K
描述
单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.5A，125mΩ

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FDN358P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SUPERSOT-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN358P 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – Single, P-Channel,

POWERTRENCH⁾, Logic

Level

MAX

I MAX

DSS

DS(ON)

−30 V

125 mW @ −10 V

200 mW @ −4.5 V

−1.5 A

FDN358P

General Description

This P−Channel Logic Level MOSFET is produced using onsemi

advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored

to minimize the on−state resistance and yet maintain low gate charge

for superior switching performance.

SOT−23/SUPERSOTt−23, 3 LEAD, 1.4x2.9

CASE 527AG

These devices are well suited for portable electronics applications:

load switching and power management, battery charging circuits, and

DC/DC conversion.

MARKING DIAGRAM

Features

358MG

• −1.5 A, −30 V

♦ R

= 125 mW @ V = −10 V

DS(ON)

= 200 mW @ V = −4.5 V

DS(ON)

358 = Specific Device Code

• Low Gate Charge (4 nC Typical)

• High Performance Trench Technology for Extremely Low R

• High Power Version of Industry Standard SOT−23 Package. Identical

Pin−Out to SOT−23 with 30% Higher Power Handling Capability

• This Device is Pb−Free and Halide Free

= Month Code

= Pb−Free Package

DS(ON)

(Note: Microdot may be in either location)

PIN ASSIGNMENT

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C, unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain−Source Voltage

Value

−30

Unit

DSS

GSS

Gate−Source Voltage

Drain Current

Continuous (Note 1a)

Pulsed

−1.5

−5

Power Dissipation

for Single Operation

(Note 1a)

0.5

(Note 1b)

0.46

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to 150

°C

STG

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 5 of

this data sheet.

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C, unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

(Note 1a)

250

°C/W

Thermal Resistance, Junction−to−Case

(Note 1)

Publication Order Number:

August, 2022 − Rev. 8

FDN358P/D

12 3 4 5 6 7

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与FDN358P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDN358P_NL	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN358PD87Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN358PL99Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN358PS62Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN359	FAIRCHILD	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET	获取价格
FDN359AN	FAIRCHILD	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET	获取价格

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