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FDN360P

更新时间： 2024-01-11 04:34:36

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	281K
描述
PowerTrench MOSFET，单 P 沟道

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FDN360P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SUPERSOT-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.36
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN360P 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

MOSFET – Single, P-Channel,

POWERTRENCH⁾

SOT−23

CASE 527AG

FDN360P

General Description

This P−Channel Logic Level MOSFET is produced using onsemi’s

advanced POWERTRENCH process that has been especially tailored

to minimize the on−state resistance and yet maintain low gate charge

for superior switching performance.

These devices are well suited for low voltage and battery powered

applications where low in−line power loss and fast switching are

required.

Features

MARKING DIAGRAM

• −2 A, −30 V

♦ R

= 80 mW @ V = −10 V

DS(ON)

360MG

= 125 mW @ V = −4.5 V

DS(ON)

• Low Gate Charge (6.2 nC Typical)

• High Performance Trench Technology for Extremely Low R

• High Power Version of Industry Standard SOT−23 Package. Identical

Pin−Out to SOT−23 with 30% Higher Power Handling Capability

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

DS(ON)

360

= Specific Device Code

= Date Code

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

ORDERING INFORMATION

(T = 25°C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Drain−Source Voltage

Ratings

−30

Unit

†

Device

Package

Shipping

DSS

GSS

FDN360P

SOT−23

(Pb-Free,

Halide Free)

3000 /

Tape & Reel

Gate−Source Voltage

Drain Current

Continuous (Note 1a)

Pulsed

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specification

Brochure, BRD8011/D.

−2

−10

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

0.46

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to +150

T , T

STG

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

Parameter

Ratings

Unit

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient (Note 1a)

°C/W

250

Thermal Resistance, Junction−to−Case

(Note 1)

°C/W

Publication Order Number:

January, 2023 − Rev. 8

FDN360P/D

12 3 4 5 6

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与FDN360P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDN360P_NL	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格
FDN360P-F095	FAIRCHILD	Transistor	获取价格
FDN360P-NBGT003B	FAIRCHILD	Transistor	获取价格
FDN360P-NBGT003B	ONSEMI	PowerTrench MOSFET，单 P 沟道	获取价格
FDN361	FAIRCHILD	N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ	获取价格
FDN361AN	FAIRCHILD	N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ	获取价格

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