FDN361BN

更新时间： 2024-02-06 02:11:47

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管 PC
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5页	97K
描述
30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

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FDN361BN 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	FAST SWITCHING
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	1.4 A	最大漏源导通电阻：	0.11 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	23 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN361BN 数据手册

October 2005

FDN361BN

30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench^®MOSFET

General Description

Features

These N-Channel Logic Level MOSFETs are produced

• 1.8 A, 30 V.

R_DS(ON)= 110 mΩ @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 160 mΩ @ V_GS= 4.5 V

using

Fairchild

Semiconductor’s

advanced

PowerTrench process that has been especially tailored

to minimize the on-state resistance and yet maintain

superior switching performance.

• Low gate charge

These devices are particularly suited for low voltage

applications in notebook computers, portable phones,

PCMCIA cards, and other battery powered circuits

where fast switching, and low in-line power loss are

needed in a very small outline surface mount package.

• Industry standard outline SOT-23 surface mount

package using proprietary SuperSOT^TM-3 design for

superior thermal and electrical capabilities

• High performance trench technology for extremely

low R^DS(ON)

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

Gate-Source Voltage

± 20

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

1.4

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

P_D

0.46

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

361B

FDN361BN

7’’

8mm

3000 units

www.fairchildsemi.com

FDN361BN Rev A(W)

12 3 4 5

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FDN361BN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLML2030TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET
IRLML0030TRPBF	INFINEON	功能相似	HEXFET Power MOSFET

与FDN361BN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN361BN-G	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
FDN363N	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
FDN363N	ROCHESTER	获取价格	1A, 100V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SUPERSOT-3
FDN371N	FAIRCHILD	获取价格	20V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN371N	TYSEMI	获取价格	SuperSOT -3
FDN371ND87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN372S	TYSEMI	获取价格	SuperSOT -3
FDN372S	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET
FDN372S_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN372S-F095	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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