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FDN5630D87Z

更新时间： 2024-02-01 20:31:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 254K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN5630D87Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.37配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：1.7 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN5630D87Z 数据手册

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March 2000  
FDN5630  
60V N-Channel PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This N-Channel MOSFET has been designed specifically  
to improve the overall efficiency of DC/DC converters using  
either synchronous or conventional switching PWM  
controllers.  
• 1.7 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.120 Ω @ VGS = 6 V.  
• Optimized for use in high frequency DC/DC converters.  
• Low gate charge.  
This MOSFET features very low RDS(ON) in a small SOT23  
footprint. Fairchild’s PowerTrench technology provides  
faster switching than other MOSFETs with comparable  
RDS(ON) specifications. The result is higher overall  
efficiency with less board space.  
• Very fast switching.  
• SuperSOTTM - 3 provides low RDS(ON) in SOT23 footprint.  
Applications  
• DC/DC converter  
• Motor drives  
D
D
S
G
S
SuperSOTTM-3  
G
Absolute Maximum Ratings TA = 25 C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
60  
V
V
A
±
20  
(Note 1a)  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
1.7  
10  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
0.5  
W
0.46  
TJ, Tstg  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°
C
Thermal Characteristics  
(Note 1a)  
(Note 1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
250  
75  
°
°
RθJA  
C/W  
C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape Width  
Quantity  
5630  
FDN5630  
7
8mm  
3000 units  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDN5630 Rev. C  
12345678

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与FDN5630D87Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN5630-F095 FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDN5630N TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT -3
FDN5630-NB5N008A FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDN5632N_F085 FAIRCHILD

获取价格

 		N-Channel Logic Level PowerTrench㈢ MOSFET 60V
FDN5632N-F085 ONSEMI

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FDN59501 EVERLIGHT

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 		Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, Green, 10mm, PLASTIC PACKAGE-12
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 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，1.6A，261mΩ

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