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FDN5618PT/R_NL

更新时间： 2024-09-27 19:59:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 385K
描述
Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN5618PT/R_NL 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏源导通电阻：0.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN5618PT/R_NL 数据手册

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July 2000  
PRELIMINARY  
FDN5618P  
60V P-Channel Logic Level PowerTrenchMOSFET  
General Description  
Features  
This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high  
voltage PowerTrench process. It has been optimized for  
power management applications.  
• –1.25 A, –60 V. RDS(ON) = 0.170 Ω @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 0.230 Ω @ VGS = –4.5 V  
• Fast switching speed  
Applications  
• High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
• DC-DC converters  
• Load switch  
• Power management  
D
D
S
S
G
SuperSOTTM-3  
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
–60  
20  
–1.25  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
V
V
A
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–10  
W
Maximum Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
0.46  
PD  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RθJA  
RθJC  
°C/W  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
618  
FDN5618P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDN5618P Rev B(W)  
2000 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345678

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与FDN5618PT/R_NL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN5630 TYSEMI

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 		VDS (V) = 60V RDS(ON)100 m (VGS = 10V) Optimized for use in high frequency DC/DC converter
FDN5630 KEXIN

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 		N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN5630 FAIRCHILD

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 		60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN5630 ONSEMI

获取价格

 		N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，1.7A，100mΩ
FDN5630 UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN5630 (KDN5630) KEXIN

获取价格

 		N-Channel MOSFET
FDN5630_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN5630D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
FDN5630-F095 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FDN5630N TYSEMI

获取价格

 		SuperSOT -3

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