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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SUPERSOT-3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.38 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 8.5 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDN371N | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
| FDN371N | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT -3 |
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| FDN371ND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDN372S | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT -3 |
|
| FDN372S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET |
|
| FDN372S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| FDN372S-F095 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| FDN537N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，6.5A，23mΩ |
|
| FDN5618 | FAIRCHILD |
获取价格 |
60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET |
|
| FDN5618P | ONSEMI |
获取价格 |
60V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-1.25A，170mΩ |
|
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