FDN5618

更新时间： 2024-01-29 20:09:40

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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8页	384K
描述
60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET

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FDN5618 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏源导通电阻：	0.17 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN5618 数据手册

July 2000

PRELIMINARY

FDN5618P

60V P-Channel Logic Level PowerTrench^MOSFET

General Description

Features

This 60V P-Channel MOSFET uses Fairchild’s high

voltage PowerTrench process. It has been optimized for

power management applications.

• –1.25 A, –60 V. R_DS(ON)= 0.170 Ω @ V_GS= –10 V

R_DS(ON)= 0.230 Ω @ V_GS= –4.5 V

• Fast switching speed

Applications

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

• DC-DC converters

• Load switch

• Power management

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

Parameter

Ratings

–60

–1.25

Units

V_DSS

Drain-Source Voltage

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–10

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

0.46

P_D

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

R_θJA

R_θJC

°C/W

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

618

FDN5618P

7’’

8mm

3000 units

FDN5618P Rev B(W)

2000 Fairchild Semiconductor Corporation

12 3 4 5 6 7 8

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与FDN5618相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN5618P	ONSEMI	获取价格	60V，P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-1.25A，170mΩ
FDN5618P	FAIRCHILD	获取价格	60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
FDN5618P	TYSEMI	获取价格	SuperSOT -3
FDN5618P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDN5618PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.25A I(D), 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
FDN5618PT/R_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.17ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
FDN5630	TYSEMI	获取价格	VDS (V) = 60V RDS(ON)100 m (VGS = 10V) Optimized for use in high frequency DC/DC converter
FDN5630	KEXIN	获取价格	N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN5630	FAIRCHILD	获取价格	60V N-Channel PowerTrench MOSFET
FDN5630	ONSEMI	获取价格	N 沟道，Power Trench® MOSFET，60V，1.7A，100mΩ