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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | SSOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.7 |
| Samacsys Confidence： | 3 | Samacsys Status： | Released |
| Samacsys PartID： | 230131 | Samacsys Pin Count： | 3 |
| Samacsys Part Category： | MOSFET (N-Channel) | Samacsys Package Category： | SOT23 (3-Pin) |
| Samacsys Footprint Name： | SSOT-3L | Samacsys Released Date： | 2015-10-07 09:15:31 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.7 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDN5632N-F085 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 60V，1.6A，98mΩ |
|
| FDN59501 | EVERLIGHT |
获取价格 |
Smart/Normal 7 Seg Numeric LED Display, Green, 10mm, PLASTIC PACKAGE-12 |
|
| FDN8601 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET 100 V, 2.7 A, |
|
| FDN8601 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，PowerTrench® MOSFET，100V，2.7A，109mΩ |
|
| FDN8601N | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT-3 |
|
| FDN86246 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，Power Trench® MOSFET，150V，1.6A，261mΩ |
|
| FDN86246 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel PowerTrench® MOSFET |
|
| FDN86246N | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT-3 |
|
| FDN86265P | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-150V，-0.8A，1.2Ω |
|
| FDN86501LZ | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，60 V，2.6 A，116 |
|
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