是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOT-23 |
包装说明: | SOT-23, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.33 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | FAST SWITCHING |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (ID): | 1.4 A | 最大漏源导通电阻: | 0.11 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 23 pF |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | COMMERCIAL |
表面贴装: | YES | 端子面层: | MATTE TIN |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FDN359BN | ONSEMI |
类似代替 |
N 沟道逻辑电平 PowerTrench® MOSFET 30V,2.7A,46mΩ | |
2N7002K | ONSEMI |
类似代替 |
Small Signal MOSFET 60 V, 380 mA, Single, N−Channel, SOT−23 | |
2N7002K-T1-GE3 | VISHAY |
功能相似 |
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FDN361BN-G | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 | |
FDN363N | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
FDN363N | ROCHESTER |
获取价格 |
1A, 100V, 0.24ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SUPERSOT-3 | |
FDN371N | FAIRCHILD |
获取价格 |
20V N-Channel PowerTrench MOSFET | |
FDN371N | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT -3 | |
FDN371ND87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDN372S | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT -3 | |
FDN372S | FAIRCHILD |
获取价格 |
30V N-Channel PowerTrench剖 SyncFET | |
FDN372S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FDN372S-F095 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |