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FDN360P_NL

更新时间： 2024-01-30 16:06:44
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 118K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN360P_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SUPERSOT-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：2 A
最大漏极电流 (ID)：2 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN360P_NL 数据手册

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May 2003  
FDN360P  
Single P-Channel, PowerTrenchÒ MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel Logic Level MOSFET is produced  
using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench  
process that has been especially tailored to minimize  
the on-state resistance and yet maintain low gate  
charge for superior switching performance.  
·
–2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V  
RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4.5 V  
·
·
Low gate charge (6.2 nC typical)  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
.
·
High power version of industry Standard SOT-23  
package. Identical pin-out to SOT-23 with 30%  
higher power handling capability.  
D
D
S
G
S
SuperSOTTM-3  
G
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
–2  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–10  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
PD  
W
0.46  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RqJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
360  
FDN360P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDN360P Rev F1 (W)  
Ó2003 Fairchild Semiconductor Corporation  
12345

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FDN360P_NL 替代型号

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