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FDN358P

更新时间： 2023-09-03 20:34:50
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 274K
描述
单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.5A，125mΩ

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FDN358P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SUPERSOT-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN358P 数据手册

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FDN358P  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
BV  
Drain−Source Breakdown Voltage  
V
= 0 V, I = −250 mA  
−30  
−
−
−
V
DSS  
GS  
D
Breakdown Voltage Temperature Coefficient  
I = −250 mA, Referenced to 25_C  
D
−
−22  
mV/_C  
DBVDSS  
DTJ  
I
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
DS  
V
DS  
V
GS  
V
GS  
= −24 V, V = 0 V  
−
−
−
−
−
−
−
−
−1  
−10  
100  
−100  
mA  
DSS  
GS  
= −24 V, V = 0 V, T = 55_C  
GS  
J
I
Gate−Body Leakage, Forward  
Gate−Body Leakage, Reverse  
= 20 V, V = 0 V  
nA  
nA  
GSSF  
DS  
I
= −20 V, V = 0 V  
DS  
GSSR  
ON CHARACTERISTICS (Note 2)  
Gate Threshold Voltage  
V
V
DS  
= V I = −250 mA  
GS, D  
−1  
−1.9  
−3  
V
GS(th)  
Gate Threshold Voltage Temperature Coefficient I = −250 mA, Referenced to 25_C  
−
4
−
mV/_C  
DVGS(th)  
DTJ  
D
R
Static Drain−Source On−Resistance  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
GS  
V
DS  
= −10 V, I = −1.5 A  
−
−
105  
148  
161  
−
125  
210  
200  
−
mW  
DS(on)  
D
= −10 V, I = −1.5 A, T = 125_C  
D
J
= −4.5 V, I = −1.2 A  
−
D
I
On−State Drain Current  
= −4.5 V, V = −5 V  
−5  
−
A
S
D(on)  
DS  
g
FS  
Forward Transconductance  
= −5 V, I = −1.5 A  
3.5  
−
D
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
C
Input Capacitance  
V
DS  
= −15 V, V = 0 V, f = 1.0 MHz  
−
−
−
182  
56  
−
−
−
pF  
pF  
pF  
iss  
GS  
C
Output Capacitance  
oss  
C
Reverse Transfer Capacitance  
26  
rss  
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 2)  
t
Turn−On Delay Time  
Turn−On Rise Time  
Turn−Off Delay Time  
Turn−Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate−Source Charge  
Gate−Drain Charge  
V
V
= −15 V, I = −0.5 A,  
−
−
−
−
−
−
−
5
13  
12  
2
10  
23  
21  
4
ns  
ns  
d(on)  
DD  
GS  
D
= −10 V, R  
= 6 W  
GEN  
t
r
t
ns  
d(off)  
t
f
ns  
Q
V
DS  
= −15 V, I = −1.5 A, V = −10 V  
4
5.6  
−
nC  
nC  
nC  
g
D
GS  
Q
0.8  
0.8  
gs  
gd  
Q
−
DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS  
Maximum Continuous Drain−Source Diode Forward Current  
Drain−Source Diode Forward Voltage = 0 V, I = −0.42 A (Note 2)  
I
−
−
−
−0.42  
−1.2  
A
V
S
V
SD  
V
GS  
−0.76  
S
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
NOTES:  
1. R  
is the sum of the junction−to−case and case−to−ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder  
θ
JA  
mounting surface of the drain pins. R  
is guaranteed by design while R  
is determined by the user’s board design.  
θ
θ
CA  
JC  
a) 250°C/W when mounted on  
b) 270°C/W when mounted on  
a minimum pad  
2
a 0.02 in pad of 2 oz copper  
Scale 1:1 on letter size paper  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 μs, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
www.onsemi.com  
2
 
1234567

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与FDN358P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN358P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PD87Z FAIRCHILD

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FDN359AN TYSEMI

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 		N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，2.7A，46mΩ
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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN359AN_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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