Datasheet > FDN360P

FDN360P

更新时间： 2024-05-23 22:22:08

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
5页	372K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:80mΩ@-10V

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDN360P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SUPERSOT-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.36
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	0.08 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN360P 数据手册

UMW

FDN360

Single P-Channel MOSFET

General Description

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

SOT–23

Features

VDS (V) = 30V

I_D= -2A (V_GS=10V)

80m

(VGS = -10V)

(VGS = -4.5V)

RDS(ON)

1. GATE

125m

RDS(ON)

2. SOURCE

3. DRAIN

Low gate charge (6.2 nC typical)

High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)

High power version of industry Standard SOT-23 package.

higher power handling capability.

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

–30

V_GSS

Gate-Source Voltage

±20

–2

I_D

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

–10

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

P_D

0.46

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

–55 to +150

°C

Thermal Characteristics

°C/W

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

250

R_qJA

R_qJC

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与FDN360P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN360P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
FDN360P-F095	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN360P-NBGT003B	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
FDN360P-NBGT003B	ONSEMI	获取价格	PowerTrench MOSFET，单 P 沟道
FDN361	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
FDN361AN	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ
FDN361AN	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3
FDN361BN	FAIRCHILD	获取价格	30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDN361BN	ONSEMI	获取价格	N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，1.4A，110mΩ
FDN361BN	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3