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FDN358P

更新时间： 2024-01-02 08:25:57

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安森美 - ONSEMI		PC 开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	274K
描述
单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.5A，125mΩ

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FDN358P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SUPERSOT-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.37
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	COMMERCIAL
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN358P 数据手册

FDN358P

TYPICAL CHARACTERISTICS (continued)

250

f = 1 MHz

= 0 V

= −1.5 A

= −5 V

ISS

200

150

100

= −10 V

= −15 V

OSS

RSS

−V , Drain to Source Voltage (V)

Q , Gate Charge (nC)

Figure 7. Gate Charge Characteristics

Figure 8. Capacitance Characteristics

LIMIT

Single Pulse

DS(ON)

1 ms

= 270°C/W

T = 25°C

10 ms

100 ms

1 s

0.1

= −10 V

10 s

Single Pulse

= 270°C/W

T = 25°C

0.01

0.1

100

0.001

0.1

0.01

100

1000

t , Time (s)

−V , Drain to Source Voltage (V)

Figure 9. Maximum Safe Operating Area

Figure 10. Single Pulse Maximum

Power Dissipation

D = 0.5

0.2

(t) = r(t) + R

qJA

= 270°C/W

0.1

qJA

0.1

0.05

P(pk)

0.02

0.01

t₁

0.01

t₂

Single Pulse

T − T = P x R (t)

Duty Cycle, D = t / t

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

t , Time (s)

Figure 11. Transient Thermal Response Curve

NOTE: Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.

Transient thermal response will change depending on the circuit board design.

www.onsemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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