FDN360

更新时间： 2024-01-29 18:00:00

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	233K
描述
Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FDN360 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.08 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN360 数据手册

February 1999

FDN360P

Single P-Channel PowerTrench^TMMOSFET

General Description

Features

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using

Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process

that has been especially tailored to minimize on-state

resistance and yet maintain superior switching

performance.

• -2 A, -30 V. R_DS(on)= 0.080 Ω @ V_GS= -10 V

R_DS(on)= 0.125 Ω @ V_GS= -4.5 V.

• Low gate charge (5nC typical).

These devices are well suited for low voltage and battery

powered applications where low in-line power loss and

fast switching are required.

• Fast switching speed.

• High performance trench technology for extremely

low R_DS(ON)

Applications

• High power and current handling capability.

• DC/DC converter

• Load switch

• Motor drives

SuperSOT^TM-3

T_A= 25°C unless otherwise noted

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Ratings

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current - Continuous

- Pulsed

-30

(Note 1a)

-2

-20

P_D

Power Dissipation for Single Operation

0.5

(Note 1b)

0.46

T_J, T_stg

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

Thermal Characteristics

(Note 1a)

(Note 1)

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

250

C/W

Package Outlines and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape Width

Quantity

360

FDN360P

7’’

8mm

3000 units

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

FDN360P Rev. D

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与FDN360相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDN360P	ONSEMI	PowerTrench MOSFET，单 P 沟道	获取价格
FDN360P	FAIRCHILD	Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET	获取价格
FDN360P	TYSEMI	SuperSOT-3	获取价格
FDN360P	UMW	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C	获取价格
FDN360P_NL	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o	获取价格
FDN360P-F095	FAIRCHILD	Transistor	获取价格