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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.7 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.046 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDN360 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDN360P | ONSEMI |
获取价格 |
PowerTrench MOSFET，单 P 沟道 |
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| FDN360P | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel PowerTrenchTM MOSFET |
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| FDN360P | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT-3 |
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| FDN360P | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C |
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| FDN360P_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o |
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| FDN360P-F095 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| FDN360P-NBGT003B | FAIRCHILD |
获取价格 |
Transistor |
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| FDN360P-NBGT003B | ONSEMI |
获取价格 |
PowerTrench MOSFET，单 P 沟道 |
|
| FDN361 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel, Logic Level, PowerTrenchビヌ |
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