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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.36 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.08 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FDN352AP | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel, PowerTrench |
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| FDN352AP | ONSEMI |
获取价格 |
单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ |
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| FDN352AP | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOTâ¢-3 |
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| FDN352AP | UMW |
获取价格 |
种类:P-Channel;漏源导通电阻:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:- |
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| FDN352AP_0508 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Single P-Channel, PowerTrench MOSFET |
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| FDN352AP_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| FDN357N | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| FDN357N | TYSEMI |
获取价格 |
SuperSOT-3 |
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| FDN357N | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，逻辑电平增强型场效应晶体管，30V，1.9A，90mΩ |
|
| FDN357N_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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