FDN358

更新时间： 2024-02-14 02:58:39

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

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FDN358 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SUPERSOT-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.5 A	最大漏极电流 (ID)：	1.5 A
最大漏源导通电阻：	0.125 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

FDN358 数据手册

March 1998

FDN358P

P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

SuperSOT^TM-3 P-Channel logic level enhancement mode

power field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance. These devices are particularly suited for

low voltage applications in notebook computers, portable

phones, PCMCIA cards, and other battery powered circuits

where fast switching, and low in-line power loss are needed

in a very small outline surface mount package.

-1.5 A, -30 V, R_DS(ON)= 0.125 W @ V_GS= -10 V

R_DS(ON)= 0.20 W @ V_GS= - 4.5 V.

High power version of industry SOT-23 package: identical

pin out to SOT-23; 30% higher power handling capability.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-8

SuperSOT^TM-6

SuperSOT^TM-3

SOIC-16

SO-8

SOT-223

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDN358P

-30

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

Drain/Output Current - Continuous

- Pulsed

-1.5

-5

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

°C

P_D

0.46

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

250

°C/W

R_q_JA

R_q_JC

(Note 1)

FDN358P Rev.D

12 3 4

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与FDN358相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
FDN358P	FAIRCHILD	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	获取价格
FDN358P	TYSEMI	SuperSOT-3	获取价格
FDN358P	ONSEMI	单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.5A，12	获取价格
FDN358P_NL	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN358PD87Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
FDN358PL99Z	FAIRCHILD	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格

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