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FDN358P

更新时间： 2024-05-23 22:22:12
品牌 Logo 应用领域
友台半导体 - UMW /
页数 文件大小 规格书
5页 363K
描述
种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-1.5A;Vgs(th)(V):±20;漏源导通电阻:90mΩ@-10V

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FDN358P 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SUPERSOT-3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.37
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：1.5 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FDN358P 数据手册

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R
UMW  
FDN358  
P−CHANNEL MOSFET  
Features  
SOT–23  
•
VDS (V) = -30V  
ID = -1.5 A  
RDS(ON)  
•
•
90m  
(VGS  
= -10V)  
RDS(ON)  
150m  
(VGS = -4.5V)  
•
•
Low gate charge (4 nC typical)  
•
High performance trench technology for extremely  
low R  
.
DS(ON)  
1. GATE  
•
High power version of industry Standard SOT-23  
package. Identical pin-out to SOT-23 with 30%  
higher power handling capability.  
2. SOURCE  
3. DRAIN  
General Description  
These devices are well suited for portable electronics  
applications: load switching and power management,  
battery charging circuits, and DC/DC conversion.  
D
G
S
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
–30  
V
V
A
VGSS  
Gate-Source Voltage  
±20  
ID  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–1.5  
–5  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.5  
PD  
W
0.46  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1)  
250  
75  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
RθJC  
www.umw-ic.com  
1
UTD Semiconductor Co.,Limited  
12345

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与FDN358P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FDN358P_NL FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PD87Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PL99Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PS62Z FAIRCHILD

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
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 		N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET
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 		N 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，30V，2.7A，46mΩ
FDN359AN UMW

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 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时
FDN359AN_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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