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FDN357NS62Z

更新时间： 2024-09-25 14:50:15

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	84K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN357NS62Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.45	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	1.9 A
最大漏源导通电阻：	0.09 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

FDN357NS62Z 数据手册

March 1998

FDN357N

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

SuperSOT^TM-3 N-Channel logic level enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high

density process is especially tailored to minimize on-state

resistance. These devices are particularly suited for low voltage

applications in notebook computers, portable phones, PCMCIA

1.9 A, 30 V, R_DS(ON)= 0.090 W @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 0.060 W @ V_GS= 10 V.

Industry standard outline SOT-23 surface mount

package using proprietary SuperSOT^TM-3 design for

superior thermal and electrical capabilities.

cards, and

other battery powered circuits where fast

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

switching, and low in-line power loss are needed in a very small

outline surface mount package.

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability.

SuperSOT^TM-8

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SO-8

SOIC-16

SOT-223

SuperSOT^TM-3

Absolute Maximum Ratings T_A= 25^oC unless other wise noted

Symbol Parameter

FDN357N

Units

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage - Continuous

Drain/Output Current - Continuous

- Pulsed

±20

1.9

Maximum Power Dissipation

(Note 1a)

(Note 1b)

0.5

P_D

0.46

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

T_J,T_STG

THERMAL CHARACTERISTICS

R_q_JA

R_q_JC

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

250

°C/W

(Note 1)

FDN357N Rev.C

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FDN358	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN358P	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
FDN358P	TYSEMI	获取价格	SuperSOT-3
FDN358P	ONSEMI	获取价格	单 P 沟道，逻辑电平，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.5A，12
FDN358P	UMW	获取价格	种类:P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C
FDN358P_NL	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PD87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN358PS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
FDN359	FAIRCHILD	获取价格	N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

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