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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> AO3407A
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AO3407A

更新时间： 2024-11-18 06:37:15
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美国万代 - AOS 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
4页 111K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO3407A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：7.87Samacsys Confidence：4
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：575278
Samacsys Pin Count：3Samacsys Part Category：MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)Samacsys Footprint Name：SOT23
Samacsys Released Date：2018-04-24 09:58:17Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.3 A最大漏极电流 (ID)：4.3 A
最大漏源导通电阻：0.048 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：90 pFJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AO3407A 数据手册

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AO3407A  
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AO3407A/L uses advanced trench technology to provide  
excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable  
for use as a load switch or in PWM applications. AO3407A  
and AO3407AL are electrically identical.  
VDS (V) = -30V  
ID = -4.3A  
(VGS = -10V)  
RDS(ON) < 48mΩ (VGS = -10V)  
DS(ON) < 78mΩ (VGS = -4.5V)  
R
-RoHS Compliant  
-AO3407AL is Halogen Free  
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested  
TO-236  
(SOT-23)  
Top View  
D
S
G
D
S
G
Absolute Maximum Ratings TA=25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
-30  
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A,F  
±20  
-4.3  
V
A
TA=25°C  
TA=70°C  
ID  
-3.5  
Pulsed Drain Current B  
IDM  
-20  
TA=25°C  
TA=70°C  
1.4  
PD  
W
Power Dissipation A  
0.9  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Typ  
70  
Max  
90  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Maximum Junction-to-Ambient AF  
Maximum Junction-to-Ambient A  
t ≤ 10s  
RθJA  
Steady-State  
Steady-State  
100  
63  
125  
80  
Maximum Junction-to-Lead C  
RθJL  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
www.aosmd.com  
1234

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AO3407A 替代型号

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