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2N7002BK

更新时间： 2024-09-17 12:52:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
16页 176K
描述
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

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2N7002BK 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：2.91
Is Samacsys：N其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：0.35 A最大漏源导通电阻：1.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002BK 数据手册

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2N7002BK  
NXP Semiconductors  
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET  
017aaa036  
10  
I
D
(A)  
Limit R  
= V /I  
DS D  
DSon  
1
(1)  
(2)  
−1  
10  
10  
10  
(3)  
(4)  
(5)  
(6)  
−2  
−3  
10  
−1  
2
1
10  
10  
V
DS  
(V)  
IDM = single pulse  
(1) tp = 100 μs  
(2) tp = 1 ms  
(3) tp = 10 ms  
(4) tp = 100 ms  
(5) DC; Tsp = 25 °C  
(6) DC; Tamb = 25 °C; drain mounting pad 1 cm2  
Fig 3. Safe operating area; junction to ambient; continuous and peak drain currents as a function of  
drain-source voltage  
6. Thermal characteristics  
Table 6.  
Symbol  
Rth(j-a)  
Thermal characteristics  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
295  
250  
-
Max Unit  
[1]  
[2]  
thermal resistance from  
junction to ambient  
in free air  
-
-
-
340  
285  
105  
K/W  
K/W  
K/W  
Rth(j-sp)  
thermal resistance from  
junction to solder point  
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
[2] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm2.  
2N7002BK  
All information provided in this document is subject to legal disclaimers.  
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 1 — 17 June 2010  
4 of 16  
1234567...16

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