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2N7002DW

更新时间： 2024-11-22 11:14:55
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关光电二极管晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 279K
描述
N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，2Ω

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2N7002DW 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：0.65配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.115 A
最大漏极电流 (ID)：0.115 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：7 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2N7002DW 数据手册

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Field Effect Transistor -  
N-Channel, Enhancement  
Mode  
2N7002DW  
Features  
www.onsemi.com  
• Dual N−Channel MOSFET  
• Low On−Resistance  
• Low Gate Threshold Voltage  
• Low Input Capacitance  
• Fast Switching Speed  
• Low Input/Output Leakage  
• Ultra−Small Surface Mount Package  
1
SC−88/SC70−6/SOT−363  
CASE 419B−02  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
MARKING DIAGRAM  
Compliant  
2NM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Drain−Gate Voltage (R ≤ 1.0 MW)  
Ratings  
60  
Units  
V
V
V
V
DSS  
DGR  
2N  
M
= Specific Device Code  
= Assembly Operation Month  
V
60  
GS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
20  
PIN CONNECTIONS  
40  
D2  
G1  
S1  
I
D
Drain Current  
Continuous  
115  
73  
mA  
Continuous  
at 100°C  
Pulsed  
800  
T , T  
Junction and Storage Temperature  
Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
S2  
G2  
D1  
1
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
200  
Unit  
mW  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate Above T = 25°C  
1.6  
mW/°C  
_C/W  
A
R
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1)  
415  
q
JA  
1. Device mounted on FR−4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimum land pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
June, 2020 − Rev. 3  
2N7002DW/D  
 
123456

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