5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2N7002DW
2N7002DW PDF预览

2N7002DW

更新时间： 2024-01-02 11:30:44
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关光电二极管晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 279K
描述
N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，2Ω

阅读下载

获取价格

2N7002DW 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.28
Samacsys Description：2N7002DW, Dual N-channel MOSFET Transistor, 0.115A 60V, 6-Pin SC-70配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.115 A
最大漏极电流 (ID)：0.115 A最大漏源导通电阻：7.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：7 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2N7002DW 数据手册

 浏览型号2N7002DW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002DW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002DW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002DW的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7002DW的Datasheet PDF文件第6页 
Field Effect Transistor -  
N-Channel, Enhancement  
Mode  
2N7002DW  
Features  
www.onsemi.com  
• Dual N−Channel MOSFET  
• Low On−Resistance  
• Low Gate Threshold Voltage  
• Low Input Capacitance  
• Fast Switching Speed  
• Low Input/Output Leakage  
• Ultra−Small Surface Mount Package  
1
SC−88/SC70−6/SOT−363  
CASE 419B−02  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
MARKING DIAGRAM  
Compliant  
2NM  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Drain−Gate Voltage (R ≤ 1.0 MW)  
Ratings  
60  
Units  
V
V
V
V
DSS  
DGR  
2N  
M
= Specific Device Code  
= Assembly Operation Month  
V
60  
GS  
V
GSS  
Gate−Source Voltage  
Continuous  
Pulsed  
20  
PIN CONNECTIONS  
40  
D2  
G1  
S1  
I
D
Drain Current  
Continuous  
115  
73  
mA  
Continuous  
at 100°C  
Pulsed  
800  
T , T  
Junction and Storage Temperature  
Range  
−55 to +150  
°C  
J
STG  
S2  
G2  
D1  
1
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 2 of  
this data sheet.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Ratings  
200  
Unit  
mW  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate Above T = 25°C  
1.6  
mW/°C  
_C/W  
A
R
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1)  
415  
q
JA  
1. Device mounted on FR−4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch. Minimum land pad size.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2007  
1
Publication Order Number:  
June, 2020 − Rev. 3  
2N7002DW/D  
 
123456

下载PDF

与2N7002DW相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N7002DW_05 PANJIT DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFETS

获取价格
2N7002DW_08 PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

获取价格
2N7002DW_1 PANJIT 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

获取价格
2N7002DW_10 DIODES DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

获取价格
2N7002DW_11 MCC N-Channel MOSFET

获取价格
2N7002DW_12 UTC 300mA, 60V DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET

获取价格

与2N7002DW相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证