2N7002BK

更新时间： 2024-02-06 17:43:05

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恩智浦 - NXP		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
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描述
60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

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2N7002BK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
湿度敏感等级：	1	峰值回流温度（摄氏度）：	260
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

2N7002BK 数据手册

2N7002BK

NXP Semiconductors

60 V, 350 mA N-channel Trench MOSFET

7. Characteristics

Table 7.

Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise specified.

Symbol Parameter

Static characteristics

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_(BR)DSS

V_GS(th)

I_DSS

drain-source breakdown I_D= 10 μA; V_GS= 0 V

voltage

gate-source threshold

voltage

I_D= 250 μA; V_DS= V_GS

1.1

1.6

2.1

drain leakage current

V_DS= 60 V; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

μA

T_j= 150 °C

I_GSS

gate leakage current

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

[1]

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 50 mA

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA

V_DS= 10 V; I_D= 200 mA

1.3

1.6

g_fs

forward

550

transconductance

Dynamic characteristics

Q_G(tot)

Q_GS

Q_GD

C_iss

total gate charge

gate-source charge

gate-drain charge

input capacitance

output capacitance

I_D= 300 mA;

V_DS= 30 V;

V_GS= 4.5 V

0.5

0.2

0.1

0.6

V_GS= 0 V; V_DS= 10 V;

f = 1 MHz

C_oss

C_rss

reverse transfer

capacitance

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

turn-on delay time

rise time

V_DD= 50 V;

R_L= 250 Ω;

V_GS= 10 V;

R_G= 6 Ω

turn-off delay time

fall time

Source-drain diode

V_SD

source-drain voltage

I_S= 115 mA; V_GS= 0 V

0.47 0.75 1.1

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.01.

2N7002BK

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Product data sheet

Rev. 1 — 17 June 2010

6 of 16

1...3 4 567 8 9...16

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