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2N7002BKS

更新时间： 2024-02-29 21:46:52

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	926K
描述
60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFETProduction

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2N7002BKS 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-88	包装说明：	PLASTIC, SC-88, 6 PIN
针数：	6	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.52
Is Samacsys：	N	其他特性：	ESD PROTECTION, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002BKS 数据手册

2N7002BKS

60 V, 300 mA dual N-channel Trench MOSFET

Rev. 2 — 23 September 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a very small

SOT363 (SC-88) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

T_amb= 25 °C

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

±20

300

[1]

T_amb= 25 °C;

V_GS= 10 V

R_DSon

drain-source on-state

resistance

T_j= 25 °C;

V_GS= 10 V;

I_D= 500 mA

1.6

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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