2N7002DW

更新时间： 2024-11-25 06:17:47

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美微科 - MCC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管局域网
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描述
N-Channel MOSFET

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2N7002DW 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.03
Is Samacsys：	N	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	0.115 A
最大漏源导通电阻：	13.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	5 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	240	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002DW 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

2N7002DW

Micro Commercial Components

Features

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Power Dissipation: 0.2W(Tamb=25?)

Drain Current: 115mA

N-Channel MOSFET

•

Drain-source Voltage: 60V

Operating Junction Temperature: -55 to +150R

Storage Temperature: -55 to +150R

Marking: K72

SOT-363

Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified

Symbol

V_(BR)DSS

Parameter

Drain-Source Breakdown Voltage*

(V_GS=0Vdc, I_D=10µAdc)

Gate-Threshold Voltage*

(V_DS=V_GS, I_D=250µAdc)

Min

Typ

Max

Units

---

Vdc

V_th(GS)

I_GSS

1.0

---

1.5

---

2.0

Vdc

Gate-body Leakage*

ꢀ10

500

nAdc

(V_DS=0Vdc, V_GS=ꢀ20Vdc)

I_DSS

Zero Gate Voltage Drain Current*

(V_DS=60Vdc, V_GS=0Vdc)

---

µAdc

Adc

Ω

(V_DS=60Vdc, V_GS=0Vdc, T_j=125R)

I_D(ON)

On-state Drain Current*

(V_DS=7.5Vdc, V_GS=10Vdc)

Drain-Source On-Resistance*

(V_GS=5Vdc, I_D=50mAdc)

(V_GS=10Vdc, I_D=500mAdc)

Forward Transconductance*

(V_DS=10Vdc, I_D=200mAdc)

0.5

1.0

---

r_DS(on)

---

3.2

4.4

7.5

13.5

g_FS

---

C_iss

C_OSS

C_rSS

Input Capacitance

Output Capacitance

Reverse Transfer

Capacitance

---

V_DS=25Vdc,

V_GS=0Vdc

f=1MHz

---

DIMENSIONS

INCHES

Switching

DIM

MIN

.006

.045

.085

MAX

.014

.053

.096

MIN

0.15

1.15

2.15

MAX

0.35

1.35

2.45

NOTE

V_DD=30Vdc,

_GEN=10Vdc

R_L=150Ω,I_D=200mA,

R_G=25Ω

t_d(on)

t_d(off)

Turn-on Time

Turn-off Time

---

.026

0.65Nominal

.047

.071

---

.055

.087

.004

.043

.018

.006

1.20

1.80

---

1.40

2.20

0.10

1.10

0.46

0.15

* Pulse test, pulse widthꢁ300Is, duty cycleꢁ20%

.035

.010

.003

0.90

0.26

0.08

www.mccsemi.com

1 of 2

Revision: 4

2008/12/31

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2N7002DW_1	PANJIT	获取价格	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2N7002DW_10	DIODES	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002DW_11	MCC	获取价格	N-Channel MOSFET
2N7002DW_12	UTC	获取价格	300mA, 60V DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET
2N7002DW_14	PANJIT	获取价格	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
2N7002DW_15	DIODES	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
2N7002DW_15	UTC	获取价格	DUAL POSITIVE-EDGETRIGGERED D-TYPE FLIP-FLOPS
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