Datasheet > 2N7002BKW,115

2N7002BKW,115

更新时间： 2024-11-21 14:46:19

品牌	Logo	应用领域
恩智浦 - NXP		/
页数	文件大小	规格书
16页	142K
描述
2N7002BKW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2N7002BKW,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	8.54
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.88 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	Base Number Matches：	1

2N7002BKW,115 数据手册

2N7002BKW

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 17 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

T_amb= 25 °C

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

[1]

T_amb= 25 °C;

V_GS= 10 V

310

R_DSon

drain-source on-state

resistance

T_j= 25 °C;

V_GS= 10 V;

I_D= 500 mA

1.6

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

中文翻译

下载PDF

2N7002BKW,115 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N7002WT1G	ONSEMI	功能相似	Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N−Channel, SC−70

与2N7002BKW,115相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7002BW	YANGJIE	获取价格	SOT-323
2N7002C	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel, 120K/Ctn.;
2N7002C	YANGJIE	获取价格	SOT-23
2N7002CK	NXP	获取价格	60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET
2N7002CK,215	NXP	获取价格	2N7002CK - 60 V, 0.3 A N-channel Trench MOSFET TO-236 3-Pin
2N7002CSM	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002D	CITC	获取价格	60V N-Channel MOSFET
2N7002DCSM	SEME-LAB	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002DS6	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.25 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms;Maximum Power Diss
2N7002DSPT	CHENMKO	获取价格	Dual N-Channel Enhancement MOS FET