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2N7002BKW,115

更新时间： 2024-02-26 09:13:35

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恩智浦 - NXP		/
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16页	142K
描述
2N7002BKW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

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2N7002BKW,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SC-70, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	0.95
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
最大漏极电流 (ID)：	0.31 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002BKW,115 数据手册

2N7002BKW

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

Rev. 1 — 17 June 2010

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT323 (SC-70)

Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

Logic-level compatible

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protection up to 2 kV

AEC-Q101 qualified

1.3 Applications

Relay driver

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

1.4 Quick reference data

Table 1.

Quick reference data

Symbol Parameter

Conditions

T_amb= 25 °C

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

[1]

T_amb= 25 °C;

V_GS= 10 V

310

R_DSon

drain-source on-state

resistance

T_j= 25 °C;

V_GS= 10 V;

I_D= 500 mA

1.6

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

12 3 4 5 6 7...16

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