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2N7002BKW,115

更新时间： 2024-02-18 18:31:40

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恩智浦 - NXP		/
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16页	142K
描述
2N7002BKW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

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2N7002BKW,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SC-70, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	0.95
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
最大漏极电流 (ID)：	0.31 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002BKW,115 数据手册

2N7002BKW

NXP Semiconductors

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

Table 5.

Limiting values …continued

In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).

Symbol Parameter

Conditions

Min

Max

275

Unit

°C

[2]

[1]

P_tot

total power dissipation

T_amb= 25 °C

330

T_sp= 25 °C

880

T_j

junction temperature

ambient temperature

storage temperature

150

T_amb

T_stg

−55

−65

+150

°C

Source-drain diode

[1]

[3]

I_S

source current

T_amb= 25 °C

310

ESD maximum rating

V_ESD

electrostatic discharge

voltage

human body model

2000

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

[2] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard

footprint.

[3] Measured between all pins.

017aaa001

017aaa002

120

der

(%)

−75

−25

125

175

(°C)

−25

125

amb

175

(°C)

amb

P_tot

I_D

-----------------------

-------------------

P_der

× 100 %

I_der

× 100 %

P_tot(25°C)

I_D(25°C)

Fig 1. Normalized total power dissipation as a

function of ambient temperature

Fig 2. Normalized continuous drain current as a

function of ambient temperature

2N7002BKW

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Product data sheet

Rev. 1 — 17 June 2010

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1 234 5 6 7...16

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