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2N7002BKW,115

更新时间： 2024-02-14 23:53:15

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恩智浦 - NXP		/
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描述
2N7002BKW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

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技术参数
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2N7002BKW,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SC-70, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	0.95
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
最大漏极电流 (ID)：	0.31 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002BKW,115 数据手册

2N7002BKW

NXP Semiconductors

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

7. Characteristics

Table 7.

Characteristics

T_j= 25 °C unless otherwise specified.

Symbol Parameter

Static characteristics

Conditions

Min

Typ

Max Unit

V_(BR)DSS

V_GS(th)

I_DSS

drain-source breakdown I_D= 10 μA; V_GS= 0 V

voltage

gate-source threshold

voltage

I_D= 250 μA; V_DS= V_GS

1.1

1.6

2.1

drain leakage current

V_DS= 60 V; V_GS= 0 V

T_j= 25 °C

μA

T_j= 150 °C

I_GSS

gate leakage current

V_GS= 20 V; V_DS= 0 V

[1]

R_DSon

drain-source on-state

resistance

V_GS= 5 V; I_D= 50 mA

V_GS= 10 V; I_D= 500 mA

V_DS= 10 V; I_D= 200 mA

1.3

1.6

g_fs

forward

550

transconductance

Dynamic characteristics

Q_G(tot)

Q_GS

Q_GD

C_iss

total gate charge

gate-source charge

gate-drain charge

input capacitance

output capacitance

I_D= 300 mA;

V_DS= 30 V;

V_GS= 4.5 V

0.5

0.2

0.1

0.6

V_GS= 0 V; V_DS= 10 V;

f = 1 MHz

C_oss

C_rss

reverse transfer

capacitance

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

turn-on delay time

rise time

V_DD= 50 V;

R_L= 250 Ω;

V_GS= 10 V;

R_G= 6 Ω

turn-off delay time

fall time

Source-drain diode

V_SD

source-drain voltage

I_S= 115 mA; V_GS= 0 V

0.47 0.75 1.1

[1] Pulse test: t_p≤ 300 μs; δ ≤ 0.01.

2N7002BKW

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Product data sheet

Rev. 1 — 17 June 2010

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