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2N7002BKW,115

更新时间： 2024-02-24 04:51:39

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恩智浦 - NXP		/
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描述
2N7002BKW - 60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET SC-70 3-Pin

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2N7002BKW,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	SC-70, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	0.95
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.31 A
最大漏极电流 (ID)：	0.31 A	最大漏源导通电阻：	1.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1.2 A	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2N7002BKW,115 数据手册

2N7002BKW

NXP Semiconductors

60 V, 310 mA N-channel Trench MOSFET

017aaa043

017aaa044

1.0

2.4

1.8

1.2

0.6

0.0

(A)

0.8

(1)

(2)

0.6

0.4

0.2

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

(V)

−60

120

180

(°C)

amb

V_DS> I_D× R_DSon

R_DSon

-----------------------------

R_DSon(25°C)

a =

(1) T_amb= 25 °C

(2) T_amb= 150 °C

Fig 10. Transfer characteristics: drain current as a

function of gate-source voltage; typical values

Fig 11. Normalized drain-source on-state resistance

as a function of ambient temperature; typical

values

017aaa045

017aaa046

3.0

GS(th)

(V)

(1)

(pF)

(1)

(2)

(3)

2.0

1.0

0.0

(2)

(3)

−1

−60

120

180

(°C)

amb

(V)

I_D= 0.25 mA; V_DS= V_GS

f = 1 MHz; V_GS= 0 V

(1) C_iss

(1) maximum values

(2) typical values

(2) C_oss

(3) C_rss

(3) minimum values

Fig 12. Gate-source threshold voltage as a function of

ambient temperature

Fig 13. Input, output and reverse transfer

capacitances as a function of drain-source

voltage; typical values

2N7002BKW

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Product data sheet

Rev. 1 — 17 June 2010

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