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2N7002DS6

更新时间： 2024-11-22 18:09:51

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
7页	457K
描述
Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 0.25 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 1500 mOhms;Maximum Power Dissipation (W) : 0.35 W;Vgs(th) (typ) : 1.45 V;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : SOT-363

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2N7002DS6 数据手册

2N7002DS6

Descriptions

N-CHANNEL MOSFET in a SOT-363 Plastic Package.

Features

Sensitive gate trigger current and Low Holding current.ESD protected diode.

ESD rating:2200V HBM

Halogen-free

Applications

Intended for use in general purpose switching and phase control applications.

P i n n i n g

Equivalent Circuit

PIN1 4 S

PIN 2 5 G

PIN 3 6 D

2019-11/33

REV:F

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N7002DSPT	CHENMKO	获取价格	Dual N-Channel Enhancement MOS FET
2N7002DW	UTC	获取价格	300mA, 60V DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET
2N7002DW	INFINEON	获取价格	OptiMOS? Small-Signal-Transistor
2N7002DW	ONSEMI	获取价格	N 沟道增强型场效应晶体管 60V，0.115A，2Ω
2N7002DW	PANJIT	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
2N7002DW	DIODES	获取价格	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002DW	SECOS	获取价格	Small Signal MOSFET
2N7002DW	MCC	获取价格	N-Channel MOSFET
2N7002DW	CJ	获取价格	SOT-363
2N7002DW	YANGJIE	获取价格	SOT-363