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STU6NA60

更新时间: 2024-11-02 20:29:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
4页 185K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,6.8A I(D),TO-220VAR

STU6NA60 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
Is Samacsys:N配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.8 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):130 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:Matte Tin (Sn)
Base Number Matches:1

STU6NA60 数据手册

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