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STH245N75F3-6

更新时间： 2024-11-19 21:20:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	852K
描述
Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 package

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STH245N75F3-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.78
雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	75 V
最大漏极电流 (ID)：	180 A	最大漏源导通电阻：	0.003 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G6
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	720 A	参考标准：	AEC-Q101
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STH245N75F3-6 数据手册

STH245N75F3-6

Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 mΩ typ., 180 A

STripFET™ F3 Power MOSFET in a H²PAK-6 package

Datasheet

production data

Features

Order code

V_DS

R_DS(on)max.

I_D

TAB

STH245N75F3-6

75 V

3.0 mΩ

180 A

• Designed for automotive applications and

AEC-Q101 qualified

• Conduction losses reduced

• Low profile, very low parasitic inductance

H²PAK-6

Applications

• Switching applications

Figure 1. Internal schematic diagram

Description

This device is an N-channel Power MOSFET

developed using STripFET™ F3 technology. It is

designed to minimize on-resistance and gate

charge to provide superior switching

performance.

Table 1. Device summary

Order code

Marking

245N75F3

Packages

Packaging

STH245N75F3-6

H²PAK-6

Tape and reel

July 2014

DocID026268 Rev 2

1/16

This is information on a product in full production.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...16

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