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STH200N55F3-2

更新时间： 2024-09-13 19:56:35

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	478K
描述
160A, 55V, 0.0026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3

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STH200N55F3-2 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	160 A	最大漏极电流 (ID)：	160 A
最大漏源导通电阻：	0.0026 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	640 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STH200N55F3-2 数据手册

STH200N55F3-2

N-channel 55 V, 1.8 mΩ, 160 A, H²PAK

STripFET™ III Power MOSFET

Preliminary data

Features

R_DS(on)

max

(1)

Type

V_DSS

I_D

STH200N55F3-2

55 V

< 2.6 mΩ

160 A

1. Current limited by package

■ Ultra low on-resistance

■ 100% avalanche tested

H²PAK

Application

■ Switching applications

Description

This STripFET™ III Power MOSFET technology is

among the latest improvements, which have been

especially tailored to minimize on-state resistance

providing superior switching performance.

Figure 1.

Internal schematic diagram

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Table 1.

Device summary

Order code

STH200N55F3-2

Marking

Package

H²PAK

Packaging

200N55F3

Tape and reel

July 2009

Doc ID 16085 Rev 1

1/11

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...11

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