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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 98 weeks |
| 风险等级： | 8.57 | 雪崩能效等级（Eas）： | 600 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 180 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 180 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 720 A | 子类别： | FET General Purpose Powers |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH240N75F3-6 | STMICROELECTRONICS |
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Conduction losses reduced |
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| STH245N75F3-6 | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET F3 Power MOSFET in H2PAK-6 |
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| STH24D12 | TELEDYNE |
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High Industrial Performance (HIPak) Solid-State Relays |
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| STH24D25 | TELEDYNE |
获取价格 |
High Industrial Performance (HIPak) Solid-State Relays |
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| STH24D35 | TELEDYNE |
获取价格 |
High Industrial Performance (HIPak) Solid-State Relays |
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| STH24D50 | TELEDYNE |
获取价格 |
High Industrial Performance (HIPak) Solid-State Relays |
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| STH-24R | HITACHI |
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Splitter And Combiner, |
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| STH-24R-2 | HITACHI |
获取价格 |
Splitter And Combiner, |
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| STH250N55F3-6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
180A, 55V, 0.0026ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-6, 7 PIN |
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| STH260N6F6-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 60 V, 1.7 mΩ typ., 180 A STripFETâ |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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