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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 其他特性： | FREDFET | 雪崩能效等级（Eas）： | 770 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 200 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 150 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大开启时间（吨）： | 155 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH10N80K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
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Automotive-grade N-channel 800 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK-2 |
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| STH10NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH10NA50FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH10NC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWAT |
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| STH10NC60FI | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 10A - TO-247/ISOWAT |
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| STH10NK60ZFI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-218VAR |
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| STH11020 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA |
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| STH11022 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 250V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AA |
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| STH110N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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| STH110N10F7-6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High avalanche ruggedness |
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