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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STH12NA60
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STH12NA60

更新时间： 2024-11-18 22:12:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 244K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STH12NA60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-218包装说明：TO-218, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.89其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss)：110 pF
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：190 W最大功率耗散 (Abs)：190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
最大开启时间（吨）：85 ns

STH12NA60 数据手册

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STH12NA60/FI  
STW12NA60  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
FAST POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
ID  
STH12NA60  
STH12NA60FI  
STW12NA60  
600 V  
600 V  
600 V  
< 0.6 Ω  
< 0.6 Ω  
< 0.6 Ω  
12 A  
7 A  
12 A  
TO-247  
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.44 Ω  
± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING  
100% AVALANCHE TESTED  
3
2
1
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE GHARGE MINIMIZED  
REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD  
3
3
2
2
DESCRIPTION  
1
1
TO-218  
ISOWATT218  
This series of POWER MOSFETS represents the  
most advanced high voltage technology. The op-  
timized cell layout coupled with a new proprietary  
edge termination concur to give the device low  
RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness  
and superior switching performance.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
STH/STW12NA60 STH12NA60FI  
Unit  
VDS  
VDG R  
VGS  
ID  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
600  
600  
± 30  
V
V
V
12  
7.6  
48  
7
4.4  
48  
A
ID  
A
IDM(•)  
Ptot  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
190  
1.52  
80  
W
W/oC  
V
oC  
oC  
Derating Factor  
0.64  
4000  
VISO  
Tstg  
Tj  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
-65 to 150  
150  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/11  
November 1996  
1234567...11

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与STH12NA60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STH12NA60FI STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH13009 STMICROELECTRONICS

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 		High voltage fast-switching NPN power transistor
STH13090 ETC

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