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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-218 | 包装说明： | TO-218, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.89 | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 700 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss)： | 110 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-218 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 190 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 190 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大开启时间（吨）： | 85 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH12NA60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH13009 | STMICROELECTRONICS |
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High voltage fast-switching NPN power transistor |
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| STH13090 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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| STH13091 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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| STH130N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET |
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| STH13N120K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSF |
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| STH13N50D | STMICROELECTRONICS |
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13A, 500V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
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| STH13NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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| STH13NB60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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| STH-14 | ETC |
获取价格 |
SPACERS/STANDOFF ORGANIZER KITS |
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