是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-218 | 包装说明: | TO-218, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
风险等级: | 5.89 | 其他特性: | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 12 A |
最大漏极电流 (ID): | 12 A | 最大漏源导通电阻: | 0.6 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 最大反馈电容 (Crss): | 110 pF |
JEDEC-95代码: | TO-218 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 190 W | 最大功率耗散 (Abs): | 190 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 48 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大开启时间(吨): | 85 ns |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STH12NA60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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STH13009 | STMICROELECTRONICS |
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High voltage fast-switching NPN power transistor |
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STH13090 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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STH13091 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-218AC |
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STH130N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET |
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STH13N120K5-2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道1200 V、630 mOhm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSF |
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STH13N50D | STMICROELECTRONICS |
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13A, 500V, 0.45ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218 |
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STH13NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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STH13NB60FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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STH-14 | ETC |
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SPACERS/STANDOFF ORGANIZER KITS |
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