STH15NA50

更新时间： 2024-11-18 22:18:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

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STH15NA50 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-218	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	850 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14.6 A	最大漏极电流 (ID)：	14.6 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	140 pF	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	190 W	最大功率耗散 (Abs)：	190 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	58.4 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	最大开启时间（吨）：	84 ns
Base Number Matches：	1

STH15NA50 数据手册

STH15NA50/FI

STW15NA50

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE

FAST POWER MOS TRANSISTOR

TYPE

V_DSS

R_DS(on)

I_D

STH15NA50

STH15NA50FI

STW15NA50

500 V

< 0.4 Ω

14.6 A

9.3 A

14.6 A

TO-247

■

TYPICAL R_DS(on)= 0.33 Ω

± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

100% AVALANCHE TESTED

REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100^oC

LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE GHARGE MINIMIZED

REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

DESCRIPTION

TO-218

ISOWATT218

This series of POWER MOSFETS represents the

most advanced high voltage technology. The op-

timized cell layout coupled with a new proprietary

edge termination concur to give the device low

R_DS(on)and gate charge, unequalled ruggedness

and superior switching performance.

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

APPLICATIONS

■

HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

DC-AC CONVERTERS FOR WELDING

EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE

POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

STH/STW15NA50 STH15NA50FI

Unit

V_DS

V_{DG R}

V_GS

I_D

Drain-source Voltage (V_GS= 0)

Drain- gate Voltage (R_GS= 20 kΩ)

Gate-source Voltage

Drain Current (continuous) at T_c= 25 ^oC

Drain Current (continuous) at T_c= 100 ^oC

Drain Current (pulsed)

500

± 30

14.6

9.2

9.3

5.5

I_D

I_DM(•)

P_tot

58.4

190

1.52

58.4

Total Dissipation at T_c= 25 ^oC

W/^oC

^oC

Derating Factor

0.64

4000

V_ISO

T_stg

T_j

Insulation Withstand Voltage (DC)

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max. Operating Junction Temperature

(•) Pulse width limited by safe operating area

1/11

November 1996

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STH15NA50FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR
STH15NB50	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET
STH15NB50FI	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET
STH16002	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-218AC
STH16002A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 500V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-218AC
STH16004	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 5A I(C) \| TO-218AC
STH16006	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 450V V(BR)CEO \| 8A I(C) \| TO-218AC
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