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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> STH18NB40FI
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STH18NB40FI

更新时间： 2024-09-12 22:21:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 144K
描述
N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET

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STH18NB40FI 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-218包装说明：ISOWATT218, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：450 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12.4 A
最大漏极电流 (ID)：12.4 A最大漏源导通电阻：0.26 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-218
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：80 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：73.6 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STH18NB40FI 数据手册

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STW18NB40  
STH18NB40FI  
N-CHANNEL 400V - 0.19 Ω - 18.4 A TO-247/ISOWATT218  
PowerMesh™ MOSFET  
PRELIMINARY DATA  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STW18NB40  
STH18NB40FI  
400 V  
400 V  
< 0.26 Ω  
< 0.26 Ω  
18.4 A  
12.4 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.19 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
3
2
2
1
1
ISOWATT218  
TO-247  
DESCRIPTION  
Using the latest high voltage MESH OVERLAY™  
process, STMicroelectronics has designed an ad-  
vanced family of power MOSFETs with outstanding  
performances. The new patent pending strip layout  
coupled with the Company’s proprieraty edge termi-  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
nation structure, gives the lowest R  
per area,  
DS(on)  
exceptional avalanche and dv/dt capabilities and  
unrivalled gate charge and switching characteris-  
tics.  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
STW18NB40  
STH18NB40FI  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
400  
400  
±30  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
18.4  
11.6  
73.6  
190  
1.52  
4.5  
12.4  
7.8  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
A
D
C
I
( )  
Drain Current (pulsed)  
73.6  
80  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
W
TOT  
C
Derating Factor  
0.64  
4.5  
W/°C  
V/ns  
V
dv/dt (1)  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Insulation Withstand Voltage (DC)  
Storage Temperature  
V
ISO  
-
2000  
T
stg  
–65 to 150  
150  
°C  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(•)Pulse width limited by safe operating area  
(1)I <18.4A, di/dt<200A/µ, V <V  
,TJ<T  
(BR)DSS JMAX  
SD  
DD  
June 2002  
1/7  
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