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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 160 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 160 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0051 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 315 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH16NA40 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS |
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| STH16NA40FI | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 400V - 0.21ohm - 16A - TO-247/ISOWATT218 POWER MOS TRANSISTORS |
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| STH170N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道80 V、0.0028 Ohm典型值、120 A STripFET F7功率MOSF |
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| STH175N4F6-2AG | STMICROELECTRONICS |
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Very low on-resistance |
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| STH175N4F6-6AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
Very low on-resistance |
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| STH180N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100 V, 3.9 milliohm, 180 A, H2PAK-2 STripFET III Power MOSFET |
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| STH18NB40 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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| STH18NB40FI | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 400V - 0.19ohm - 18.4A TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
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| STH-19 | ETC |
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SPACERS/STANDOFF ORGANIZER KITS |
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| STH-19SM | HITACHI |
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Directional Coupler |
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