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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 1000 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 120 A | 最大漏极电流 (ID)： | 120 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0085 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 480 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH140N6F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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High avalanche ruggedness |
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| STH140N6F7-6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High avalanche ruggedness |
|
| STH140N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET， |
|
| STH145N8F7-2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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| STH14N50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-218 |
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| STH14N50FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
|
| STH150N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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| STH155N75F4-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
160A, 75V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
|
| STH15N50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218 |
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| STH15N50FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-218VAR |
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