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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 75 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 160 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 160 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 640 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH15N50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218 |
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| STH15N50FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-218VAR |
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| STH15NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH15NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH15NB50 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET |
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| STH15NB50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET |
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| STH16002 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
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| STH16002A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 500V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
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| STH16004 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-218AC |
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| STH16006 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 450V V(BR)CEO | 8A I(C) | TO-218AC |
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