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STH155N75F4-2

更新时间： 2024-01-03 16:05:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 506K
描述
160A, 75V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3

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STH155N75F4-2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：ROHS COMPLIANT, H2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：75 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：160 A
最大漏极电流 (ID)：160 A最大漏源导通电阻：0.0052 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：640 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STH155N75F4-2 数据手册

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STH155N75F4-2  
STP155N75F4  
N-channel 75 V, 4.2 mΩ, 160 A TO-220, H2PAK  
StripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET  
Preliminary data  
Features  
Type  
VDSS  
RDS(on) max  
ID  
2
STP155N75F4  
75 V  
75 V  
5.8 mΩ  
5.2 mΩ  
120 A  
160 A  
STH155N75F4-2  
3
3
3
■ Extremely low on-resistance R  
■ 100% avalanche tested  
DS(on)  
2
1
1
TO-220  
H²PAK  
Application  
■ Switching applications  
Description  
Figure 1.  
Internal schematic diagram  
This STripFET™ DeepGATE™ Power MOSFET  
technology is among the latest improvements,  
which have been especially tailored to minimize  
on-state resistance, with a new gate structure,  
providing superior switching performance.  
Table 1.  
Device summary  
Order codes  
Marking  
Package  
Packaging  
STP155N75F4  
155N75F4  
155N75F4  
TO-220  
H²PAK  
Tube  
STH155N75F4-2  
Tape and reel  
March 2010  
Doc ID 15211 Rev 3  
1/12  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to  
change without notice.  
www.st.com  
12  
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