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STH145N8F7-2AG

更新时间： 2024-11-20 14:57:31
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
16页 671K
描述
汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装

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STH145N8F7-2AG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：43 weeks 2 days
风险等级：2.29雪崩能效等级（Eas）：515 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：80 V最大漏极电流 (ID)：90 A
最大漏源导通电阻：0.004 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：200 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：360 A参考标准：AEC-Q101
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STH145N8F7-2AG 数据手册

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STH145N8F7-2AG  
Automotive-grade N-channel 80 V, 3.3 mΩ typ., 90 A  
STripFET™ F7 Power MOSFET in a H²PAK-2 package  
Datasheet - production data  
Features  
Order code  
VDS RDS(on) max.  
4 mΩ  
ID  
PTOT  
STH145N8F7-2AG 80 V  
90 A 200 W  
Designed for automotive applications and  
AEC-Q101 qualified  
Among the lowest RDS(on) on the market  
Excellent figure of merit (FoM)  
Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity  
High avalanche ruggedness  
Applications  
Figure 1: Internal schematic diagram  
Switching applications  
Description  
This N-channel Power MOSFET utilizes  
STripFET™ F7 technology with an enhanced  
trench gate structure that results in very low on-  
state resistance, while also reducing internal  
capacitance and gate charge for faster and more  
efficient switching.  
Table 1: Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
Packaging  
STH145N8F7-2AG  
145N8F7  
H²PAK-2  
Tape and reel  
June 2015  
DocID027933 Rev 1  
1/16  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  
1234567...16

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