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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 671K | ![]() |
描述 | ||
汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET,H2PAK-2封装 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | Factory Lead Time: | 43 weeks 2 days |
风险等级: | 2.29 | 雪崩能效等级(Eas): | 515 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 80 V | 最大漏极电流 (ID): | 90 A |
最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 200 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 360 A | 参考标准: | AEC-Q101 |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STH14N50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-218 |
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STH14N50FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
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STH150N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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STH155N75F4-2 | STMICROELECTRONICS |
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160A, 75V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
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STH15N50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218 |
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STH15N50FI | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-218VAR |
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STH15NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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STH15NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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STH15NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET |
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STH15NB50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET |
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