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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 16页 | 671K |  |
| 描述 | ||
| 汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET，H2PAK-2封装 | ||
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 43 weeks 2 days |
| 风险等级： | 2.29 | 雪崩能效等级（Eas）： | 515 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 90 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.004 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 360 A | 参考标准： | AEC-Q101 |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STH14N50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-218 |
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| STH14N50FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
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| STH150N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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| STH155N75F4-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
160A, 75V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
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| STH15N50 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-218 |
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| STH15N50FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9.3A I(D) | TO-218VAR |
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| STH15NA50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH15NA50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR |
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| STH15NB50 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET |
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| STH15NB50FI | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MESH OVERLAY POWER MOSFET |
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