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意法半导体 - STMICROELECTRONICS | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
9页 | 113K | ![]() |
描述 | ||
N - CHANNEL 600V - 0.48ohm - 13A - TO-247/ISOWATT218 PowerMESH MOSFET |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-218 | 包装说明: | ISOWATT218, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.82 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 700 mJ |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 600 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.6 A |
最大漏极电流 (ID): | 8.6 A | 最大漏源导通电阻: | 0.54 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-218 |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 52 A | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STH-14 | ETC |
获取价格 |
SPACERS/STANDOFF ORGANIZER KITS |
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STH140N10F4-2 | STMICROELECTRONICS |
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120A, 100V, 0.0085ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
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STH140N6F7-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High avalanche ruggedness |
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STH140N6F7-6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
High avalanche ruggedness |
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STH140N8F7-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSFET, |
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STH145N8F7-2AG | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
汽车级N沟道80 V、3.3 mOhm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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STH14N50 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 14.1A I(D) | TO-218 |
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STH14N50FI | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.8A I(D) | TO-218VAR |
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STH150N10F7-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N沟道100 V、0.0038 Ohm典型值、90 A STripFET F7功率MOSF |
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STH155N75F4-2 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
160A, 75V, 0.0052ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, H2PAK-3 |
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